关于东微
公司简介 公司成立于2008年,注册资本12257.4975万元,2022年2月10日 于上海证券交易所登录科创板上市,股票代码:688261。
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产品中心

所有产品

公司的主要产品包括GreenMOS系列超级结MOSFET、SFGMOS系列及FSMOS系列屏蔽栅MOSFET、TGBT、SuperSi²C MOSSFET、SuperSi MOSFET、SiC MOSFET, 产品可广泛应用于以新能源汽车直流充电桩、车载充电机、光伏逆变器、储能、5G基站电源、通信电源、数据中心服务器电源、工业照明电源、电动工具、智能机器人、无人机、 UPS电源为代表的工业级及汽车级应用领域,以及以PC电源、适配器、TV电源板、手机快速充电器、电磁加热为代表的消费电子应用领域。

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SJ MOSFETs

为适应电源系统高效率小型化的需求,东微半导体推出了新型的GreenMOS系列高压MOSFET, 采用独特专利器件结构和制造工艺,GreenMOS产品具有比常规MOSFET更快的开关速度及更柔和的开关曲线,在获得极低的动态损耗的同时最大限度抑制了开关震荡,不仅可以大大提高系统效率、降低发热量,还可以简化系统EMI设计。

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SGT MOSFETs

东微的SFGMOS系列MOSFET产品采用半浮栅结构,兼备了传统平面结构和SGT结构的功率MOSFET的优点,并具有更高的工艺稳定性和可靠性及更快的开关速度、更小的栅电荷和更高的应用效率等优点。SFGMOS系列MOSFET产品涵盖20V~200V全系列,可广泛应用于电机驱动、同步整流等领域中。

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IGBTs

东微的IGBT芯片采用特有的Trident-Gate Bipolar Transistor (TGBT)器件结构,以得到更低的导通压降与更小的开关损耗。目前公司已先后推出第一代及第二代TGBT多个系列产品,涵盖600V~1700V电压,适合应用于光伏储能逆变、直流充电桩、汽车主驱、OBC、UPS等领域。公司亦开发出超高速系列TGBT,工作频率达到60-100KHz,可以在满足电源系统进一步高频化的同时,实现更高的效率。

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Trench MOSFETs

沟槽Trench MOSFET:性能可靠,值得信赖,通过大量的开发,我们持续不断地利用先进的小信号MOS和功率MOS解决方案扩充我们的产品组合。我们种类齐全的产品组合提供当今市场所需的灵活性,让您可以轻松选择最适合您系统的产品。我们的领先技术确保提供最高的可靠性和性能,而先进的封装则可以增强电阻和热性能,同时缩小尺寸,降低成本。

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Power Module

先进的电源模块, 包括 IGBT、MOSFET、SiC、Si/SiC混合模块、二极管、SiC二极管和智能功率模块。IGBT模块被运用于主驱和DC-AC级太阳能逆变器、能源储存系统、不间断电源和电机驱动等应用中。MOSFET模块用于汽车电机驱动和车载充电机应用,额定电压可选40 V、60 V、80 V和650 V,采用超级结技术和感应电阻。

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SiC MOSFETs

第三代半导体材料功率器件是未来高性能功率器件的重要组成部分之一。东微研发团队在宽禁带半导体研究上有丰富的经验,研发了一系列SiC MOSFETs。

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GaN HEMT

氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)正日益成为主流市场的选择。针对各种高电压和低电压应用场景,GaN HEMT具备最快的转换/开关能力(最高dv/dt与di/dt)和最优异的能效表现。此外,东微半导体自研的GaN HEMT通过新颖的设计,降低导通损耗和开关损耗,进一步提升了功率密度。

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Power IC

针对高端AC-DC、DC-DC工业电源及AI算力电源核心应用场景,东微持续迭代并推出数字专用电源控制IC,全面适配高频宽禁带功率器件与高密度电源架构。相较于传统模拟电源IC,数字专用控制IC具备颠覆性优势,摒弃了模拟方案依赖阻容参数定标、调试繁琐、方案固化的痛点,实现重要参数数字化可配置,可灵活调校环路补偿、工作拓扑模式、各类保护阈值及轻载节能策略,无需更改硬件电路即可适配多规格电源产品。同时芯片动态自适应能力更强,可针对负载突变、电网波动、高低温工况自动优化控制逻辑,大幅提升电源瞬态响应与全负载段能效;有效解决模拟IC固有的温漂、器件离散性问题,整机批量一致性大幅提升,量产良率更高;且集成高精度采样、智能故障保护、自适应算法等核心功能,外围器件极简,集成度远高于传统模拟方案,有效简化客户硬件设计与调试流程。相较于通用MCU、DSP控制方案,数字专用控制IC优势同样突出,专用硬件控制架构无需软件代码开发、无程序编译调试门槛,客户入门难度低、项目落地周期大幅缩短;芯片架构精简、成本可控,相比高端DSP主控具备显著成本优势;纯硬件闭环控制无软件冗余功耗,待机功耗更低,适配电源低功耗能效规范;同时抗EMI干扰能力强,在高频、高压、强干扰的严苛电源工况下,可靠性与稳定性更高,完美匹配高端工业电源、AI数据中心电源的高可靠、高效率、低成本量产需求。

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LDO

LDO(Low Dropout Regulator 低压差线性稳压器)为适应从便携式设备到工业高压控制对电源管理的多元化需求,东微推出了全系列高性能LDO产品线。该系列包含超低功耗的CMOS架构与高可靠性的Bipolar架构,采用先进的带隙基准源与过流保护技术,具有比传统稳压器更宽的输入电压窗口及极高的性价比。CMOS系列实现了低至0.2μA的静态电流与高达90dB的电源抑制比,而Bipolar系列则支持高达1.5A的大电流输出与36V以上的耐高压特性,在确保输出电压精度的同时大幅简化了外围电路设计。 该系列产品涵盖5.5V至100V全电压输入范围,提供从100mA到1.5A的多种电流规格,封装形式灵活多样(SOT23/SOT89/SOT223/TO252等),可以满足各种复杂系统的供电需求。基于其低功耗、高耐压及低噪声的特点,特别适用于智能电表、48V轻混系统、安防监控、电机驱动、物联网节点及各类精密仪器等系统。

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OPA

OPA(Operational Amplifier 运算放大器)为应对现代电子系统对低功耗、高精度及高速信号处理的严苛挑战,东微推出了全系列高性能模拟信号链产品。该系列涵盖低压通用运放、高压通用运放、低压高速运放及低压比较器四大核心品类,采用先进的半导体制造工艺与优化的内部拓扑架构,具有比传统同类产品更宽的电源电压范围、极低的输入失调电压(Vos)以及卓越的电源抑制比(PSRR)。其中,低压通用系列实现了低至50μA的静态功耗与轨到轨(Rail-to-Rail)输入输出特性;高速系列则具备高达250MHz的增益带宽积与180V/μs的压摆率,在确保极低噪声的同时大幅提升了系统的动态响应能力。 该系列产品提供从单通道到四通道的丰富规格矩阵,支持SOT23、MSOP、DFN等多种微型封装形式,可完美替代市场主流竞品。基于其高可靠性、低失真及优异的抗干扰性能,特别适用于工业控制、汽车电子、医疗仪器、通信设备、精密数据采集及物联网传感器等多元化应用场景。

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DSP

我司 DSP 产品聚焦芯片正向设计,自主掌握 DSP 处理器内核及全部外设模块 IP 源代码,长期沉淀 IP 核、设计流程、自动化脚本、芯片架构等海量设计资源,核心 IP 可实现全流程自主开发。围绕 DSP 芯片设计关键技术,产品已经累计申请发明专利 11 项(已授权 4 项)、软件著作权 17 项、集成电路布图 3 项,并且产品以量产且服务多家国内知名企业。产品对标国际头部厂商主流 DSP 芯片,广泛应用于电源控制、电机驱动、工业网络等领域,旨在破解国内 DSP 芯片高度依赖进口的行业痛点,在满足客户性能需求前提下推进核心器件国产替代与自主可控。

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应用领域
应用领域 东微半导体的产品应用领域广泛且具体。在汽车电子方面,深度布局电动化,涵盖车载充电、各类电控系统及热管理;在工业与能源领域,提供电池测试、光伏逆变及工业电源解决方案;同时,其产品也服务于消费电子​(如快充、电视)、家用电器​(如冰箱、吸尘器)、通信设施​(如数据中心电源)以及电机驱动​(如机器人、无人机、叉车)等多个关键行业。
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质量管理
质量管理 ISO9001 质量体系认证通过时间2016年01月11日,CNAS17025 实验室管理体系认证通过时间2025年03月03日。
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投资者关系
投资者关系 东微半导体致力于与投资者建立有效的沟通机制,通过透明、及时、准确的信息披露和沟通,帮助投资者全面、客观地了解公司的战略、经营状况、财务状况及未来发展前景,确保投资者能获得同等质量的信息,与投资者建立信任关系,从而使得公司的内在价值能够在资本市场上得到合理反映。
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重磅发布|东微半导《算力服务器供电系统白皮书》出炉,全链路算力供电方案解锁国产算力新赛道

重磅发布|东微半导《算力服务器供电系统白皮书》出炉,全链路算力供电方案解锁国产算力新赛道

发布时间:2026-09-01

阅读次数:13

人工智能爆发浪潮下,算力电源架构迎来高压化、全栈化变革,行业亟须端到端、可落地的国产化解决方案。

近日,东微半导正式发布《算力服务器供电系统白皮书》,完整拆解算力服务器一次、二次、三次电源全层级产品矩阵、系统适配方案与中长期技术路线,以全链路功率半导体能力,锚定国产算力基础设施核心战略高地。

1、布局全链路供电架构,攻克算力电源现实痛点

白皮书核心亮点,在于东微半导打通一次电源PSU、二次电源IBC、三次电源VRM完整供电链路,构建了“功率器件+数字控制IC”一体化产品体系。

一次电源(PSU)侧

面向电网高压输入场景,提供超结SJ MOS、高速SiC 器件、GaN功率器件,搭配自研DSP与数字控制器,适配800V高压直流、SST固态变压器架构,大幅提升整机转换效率,降低机柜损耗,适配超大功率AI整机柜需求。

二次电源(IBC)侧

补齐行业“卡脖子”中间总线环节,依托控股慧能泰的IC研发能力,配套SGT MOS、数字控制芯片、栅极驱动芯片、BMS模拟前端AFE,实现48V母线高效变换,解决传统方案控制与功率器件割裂、系统BOM成本高的难题。

三次电源(VRM)侧

面向GPU算力芯片精密供电,搭载高性能SGT MOSFET与专用控制芯片,实现极速动态响应,保障大算力芯片长时间稳定运行,更好匹配新型电力电子机架设计趋势。

从电网输入到算力芯片,东微半导力争实现单一厂商即可提供全套功率与控制芯片方案,帮助服务器整机、电源厂商缩短研发周期、简化供应链,是当前国内稀缺的全栈算力服务器供电方案供应商。

2、依托白皮书战略内核,夯实国产算力底层壁垒

这份白皮书绝非单纯产品手册,而是东微半导布局算力服务器电源赛道的战略宣言,具备三重核心价值:

产品覆盖 PSU、IBC、VRM 等全关键供电环节,SiC、GaN 器件性能对标国际一线水平,前瞻布局 AIMOS 超薄衬底器件。依托慧能泰实现功率器件 + 数字控制IC协同,打通 “控制‑驱动‑执行”完整链路,输出一站式定制化系统方案,满足算力服务器高效率、高可靠供电需求,助力客户缩短研发落地周期。

把握800V HVDC行业增长红利,工业通信电源业务高速增长,液冷算力服务器配套功率器件实现量产交付。依托 12 英寸晶圆平台与先进封装工艺,兼顾产品性能与性价比,凭借规模效应加速算力服务器电源领域国产化替代。

紧扣“东数西算”低 PUE 建设要求,携手产业伙伴攻坚12英寸氮化镓核心技术。随着功率半导体国产化率不断提升,数字电源控制器完成头部客户导入,有效压降数据中心建设运营成本,守护算力产业链自主可控。

3、立足中长期发展布局,开拓算力全链崭新未来

依托白皮书发布,东微半导明确中长期算力服务器供电系统发展路线:

短期,完善48V架构生态系统,持续迭代SiC、GaN宽禁带功率器件,扩展全链路电源标准化产品,全面批量供给头部算力客户,在数据中心、算力服务器电源等领域的业务保持增长,并稳步推进超级结MOSFET塑封模块在液冷式算力服务器电源领域取得量产突破;

中期,推进800V架构商业化落地,研究1500V及以上电压等级技术功率器件和控制电路的单封装集成,建立起完整的12英寸氮化镓技术生态系统,实现算力服务器电源系统的智能化管理;

长期,围绕“功率器件+数字IC”双核布局,研发新一代集成电源模块,力争实现第四代半导体技术、应用垂直供电架构普及、液冷与算力电源优化深度融合,覆盖下一代超大规模智算集群需求。

当前东微半导产品已批量供货客户 A、欧陆通、麦格米特、维谛技术、台达、世纪云芯、东科半导体、超聚变数字、长城科技、中恒电气、中兴康讯、铂科电子等头部企业,覆盖两千余家终端客户。未来公司将持续加码算力电源研发投入,以全链路半导体硬实力,助力国内算力基础设施自主可控、高效低碳发展。

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