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公司的主要产品包括GreenMOS系列超级结MOSFET、SFGMOS系列及FSMOS系列屏蔽栅MOSFET、TGBT、SuperSi²C MOSSFET、SuperSi MOSFET、SiC MOSFET, 产品可广泛应用于以新能源汽车直流充电桩、车载充电机、光伏逆变器、储能、5G基站电源、通信电源、数据中心服务器电源、工业照明电源、电动工具、智能机器人、无人机、 UPS电源为代表的工业级及汽车级应用领域，以及以PC电源、适配器、TV电源板、手机快速充电器、电磁加热为代表的消费电子应用领域。
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SJ MOSFETs
为适应电源系统高效率小型化的需求，东微半导体推出了新型的GreenMOS系列高压MOSFET, 采用独特专利器件结构和制造工艺，GreenMOS产品具有比常规MOSFET更快的开关速度及更柔和的开关曲线，在获得极低的动态损耗的同时最大限度抑制了开关震荡，不仅可以大大提高系统效率、降低发热量，还可以简化系统EMI设计。
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SGT MOSFETs
东微的SFGMOS系列MOSFET产品采用半浮栅结构，兼备了传统平面结构和SGT结构的功率MOSFET的优点，并具有更高的工艺稳定性和可靠性及更快的开关速度、更小的栅电荷和更高的应用效率等优点。SFGMOS系列MOSFET产品涵盖20V~200V全系列，可广泛应用于电机驱动、同步整流等领域中。
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IGBTs
东微的IGBT芯片采用特有的Trident-Gate Bipolar Transistor (TGBT)器件结构，以得到更低的导通压降与更小的开关损耗。目前公司已先后推出第一代及第二代TGBT多个系列产品，涵盖600V~1700V电压，适合应用于光伏储能逆变、直流充电桩、汽车主驱、OBC、UPS等领域。公司亦开发出超高速系列TGBT，工作频率达到60-100KHz，可以在满足电源系统进一步高频化的同时，实现更高的效率。
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Trench MOSFETs
沟槽Trench MOSFET：性能可靠，值得信赖，通过大量的开发，我们持续不断地利用先进的小信号MOS和功率MOS解决方案扩充我们的产品组合。我们种类齐全的产品组合提供当今市场所需的灵活性，让您可以轻松选择最适合您系统的产品。我们的领先技术确保提供最高的可靠性和性能，而先进的封装则可以增强电阻和热性能，同时缩小尺寸，降低成本。
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Power Module
先进的电源模块, 包括 IGBT、MOSFET、SiC、Si/SiC混合模块、二极管、SiC二极管和智能功率模块。IGBT模块被运用于主驱和DC-AC级太阳能逆变器、能源储存系统、不间断电源和电机驱动等应用中。MOSFET模块用于汽车电机驱动和车载充电机应用，额定电压可选40 V、60 V、80 V和650 V，采用超级结技术和感应电阻。
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GaN HEMT
氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）正日益成为主流市场的选择。针对各种高电压和低电压应用场景，GaN HEMT具备最快的转换/开关能力（最高dv/dt与di/dt）和最优异的能效表现。此外，东微半导体自研的GaN HEMT通过新颖的设计，降低导通损耗和开关损耗，进一步提升了功率密度。
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Power IC
当与电源串联时，OSP5050高侧OR-ing FET控制器与外部NMOSFET结合使用，作为理想二极管整流器。这个OR-ing控制器允许MOSFET取代配电网中的二极管整流器，从而减少功率损耗和电压降。
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应用领域
东微半导体的产品应用领域广泛且具体。在汽车电子方面，深度布局电动化，涵盖车载充电、各类电控系统及热管理；在工业与能源领域，提供电池测试、光伏逆变及工业电源解决方案；同时，其产品也服务于消费电子（如快充、电视）、家用电器（如冰箱、吸尘器）、通信设施（如数据中心电源）以及电机驱动（如机器人、无人机、叉车）等多个关键行业。
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