东微半导体与晶湛半导体携手推进12英寸氮化镓（GaN）功率器件研发和应用

    面对AI计算需求的指数级增长，传统数据中心电力架构正面临前所未有的挑战, 千瓦级的供电标准早已无法匹配AI模型对能耗的极端需求，全球数据中心的供电方式将发生革命性变革。在功率电子与AI计算深度融合的关键节点，苏州东微半导体股份有限公司（“东微半导体”，证券代码：688261）与苏州晶湛半导体有限公司（“晶湛半导体”）于10月17日联合宣布，双方已达成战略合作，共同推进12英寸氮化镓技术与产品的研发与应用。

    氮化镓功率器件正处于从消费电子快充"单点爆发"向多领域扩张的转折期。未来2-3年，在AI服务器电源、新能源汽车、人形机器人、光伏逆变器、工业电源等新兴领域的需求将进入加速放量阶段，尤其是AI数据中心需求愈发迫切，例如英伟达将于2027年为其下一代Rubin系列全面部署800V高压直流（HVDC）架构。全新的高压直流集中供电方式，高度依赖于高性能功率半导体材料的支撑，需要硅、碳化硅和氮化镓为高压直流系统提供从电网到芯片供电的全链路解决方案；尤其是基于氮化镓的多相DC/DC转换器产品，为超大规模AI数据中心提供灵活且高效的电源系统；同时，氮化镓功率器件还将为人形机器人、无人机等应用带来更高效率的电机驱动性能，提供节能高效的驱动方案。国内功率半导体技术创新者东微半导体与氮化镓外延材料的技术先驱晶湛半导体合作，发挥各自优势，采用主流的12英寸CMOS实验线研发12寸硅基氮化镓HEMT晶体管，共同推进12寸硅基氮化镓功率器件的产业化进程。此项产业技术的成功开发，不仅可以大幅降低制造成本，而且可以利用12寸先进的前后道工艺的技术，充分挖掘氮化镓材料在高能效、高功率密度方面的潜力，使这一技术为上述应用领域提供更具成本效益和性能优势的解决方案。

     “协同创新”成为本次合作的核心关键词。在半导体技术快速迭代的背景下，产业链上下游企业的协同创新显得尤为重要。东微半导体作为功率半导体领域的创新者，其在器件设计与市场应用方面有着丰富经验。晶湛半导体在氮化镓外延材料领域拥有深厚技术积累，是全球范围内第一家掌握12英寸硅基氮化镓外延技术的企业。两家企业的携手，将打通从材料到器件工艺的关键技术链条，加速国产氮化镓功率器件的产业化进程。双方表示，通过本次合作，将致力于解决大尺寸氮化镓外延材料在器件制造过程中的关键技术难题，包括材料与工艺的匹配优化，可靠性测试等全流程技术开发，为国内半导体产业提供完整的解决方案。

    两家公司的高层均对合作前景充满信心。双方共同认为，这一合作将为国内氮化镓产业链的完善和提升注入强劲动力。合作项目将分阶段推进，初期专注于基础外延工艺和器件结构工艺平台的搭建与优化，中期目标是在特定应用领域推出原型产品。长期来看，双方希望建立起完整的12英寸氮化镓技术生态系统，包括材料、设计、制造、封测和应用等全产业链环节。此次合作将结合东微半导体在功率器件设计与制造方面的丰富经验，以及晶湛半导体在氮化镓外延材料领域的领先技术，达到产业链上下游强强联合的效果，有力推进12英寸氮化镓技术在不久的将来成为电力电子领域的核心技术之一，推动中国第三代半导体产业的高质量发展。

    苏州东微半导体股份有限公司（证券代码：688261）在功率半导体器件领域有着深厚的技术积累和丰富的市场经验，产品覆盖高压超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET、超级硅MOSFET、TGBT以及SiC MOSFET等，展现了强大的器件研发能力。产品已广泛应用于新能源汽车充电桩、5G基站电源、数据中心和算力服务器电源等领域，与12英寸氮化镓的潜力应用市场高度重合，为未来技术落地提供了市场基础。公司在高压超结MOSFET等产品上已完成了从8英寸代工厂到12英寸代工厂的扩展，积累了12英寸工艺平台迭代升级的经验。

    苏州晶湛半导体有限公司拥有国际先进的氮化镓外延材料研发和产业化基地，是国内半导体材料领域的知识产权优势企业，致力于为电力电子以及微显示等领域提供高品质氮化镓外延材料解决方案，也是目前国际上极少数可供应12英寸硅基氮化镓外延产品的先锋厂商，技术实力处于国际领军地位。