高压超级结GreenMOS系列-苏州东微半导体股份有限公司

高压GreenMOS系列

为适应电源系统高效率小型化的需求，东微半导体推出了新型的GreenMOS系列高压MOSFET, 采用独特专利器件结构和制造工艺，GreenMOS产品具有比常规MOSFET更快的开关速度及更柔和的开关曲线，在获得极低的动态损耗的同时最大限度抑制了开关震荡，不仅可以大大提高系统效率、降低发热量，还可以简化系统EMI设计。GreenMOS系列产品涵盖500V-900V全系列，提供高达100A静态电流的规格，最高工作频率达到2MHz以上，可以满足各种电源系统的需求。基于其高效率、低温升的特点，特别适用于快速充电器、LED电源、通讯、服务器电源、电动车充电桩等系统。

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Generic通用系列	Generic系列产品包含500V~900V全系列，具有低导通电阻、低栅极电荷、静态和动态损耗低的特点，可广泛应用于各种高性能功率转换领域。
S系列(EMI优化)	S系列产品在Generic系列产品的基础上优化了开关速度，以较低的开关速度达到更好的EMI兼容性，特别适用于小功率电源系统如LED照明、充电器、适配器等领域。
E系列(EMI平衡)	E系列产品综合了Generic系列产品和S系列产品的特性，达到了开关速度和EMI的平衡，特别适用于TV电源、工业电源等领域。
Z系列(快恢复)	Z系列产品中集成了快恢复体二极管（FRD），具有快速的反向恢复速度，开关损耗极低并具有很高的可靠性，特别适用于各种半桥、全桥拓扑电路、马达驱动、充电桩等领域。
超级硅系列(SuperSi)	SuperSi系列产品特别优化了开关速度，具有极低的品质因数（FOM），同时具有比肩氮化镓功率MOSFET的开关速度，特别适用于高密度电源系统，如PD充电器、模块转换器、大屏幕电视、显示器等领域。

Package	P/N	Cfg.	V_DS (V)	V_GS (V)	I_D (A)	V_{th_typ}(V)	R_on (Ω)
Package	P/N	Cfg.	V_DS (V)	V_GS (V)	T_c=25℃	V_{th_typ}(V)	10V	4.5V
All PDFN88 TO-220 TO-263 TO-251 PDFN56 SOP8 TO-247 TO-252 TO-3P TO-262 TO-220F TOLL TO-220F_NL TO-247-4L Wafer TO-263-6L TO-247-NL TO-263-7L TO-264 TO-247-PLUS PDFN3.3*3.3 TO-247-4L_NL		All N Dual N P	All 500 550 600 650 700 800 40 60 80 100 900 950 200 250 1000	All 30 20 15 -8/+22 -20 12 -10/+23

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