中低压SGTMOS系列-苏州东微半导体股份有限公司

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中低压SGTMOS系列

东微的SFGMOS系列MOSFET产品采用半浮栅结构，兼备了传统平面结构和SGT结构的功率MOSFET的优点，并具有更高的工艺稳定性和可靠性及更快的开关速度、更小的栅电荷和更高的应用效率等优点。SFGMOS系列MOSFET产品涵盖20V~200V全系列，可广泛应用于电机驱动、同步整流等领域中。

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Package	P/N	Cfg.	V_DS (V)	V_GS (V)	I_D (A)	V_{th_typ}(V)	R_on (Ω)
Package	P/N	Cfg.	V_DS (V)	V_GS (V)	T_c=25℃	V_{th_typ}(V)	10V	4.5V
All TO-251 TO-263 TO-262 TO-252 TO-220 PDFN56 TO-220F SOP8 TO-247 PDFN3.33.3		All N Dual N	All 25 40 60 80 100 120 150 75 30	All 30 20 15

封装	料号	配置	VDS (V)	VGS (V)	ID (A) TA=25	Vth_typ(V)	Ron (Ω) 10V	Ron (Ω) 4.5V

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