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SJ MOSFETs
SGT MOSFETs
IGBTs
Trench MOSFETs
Power Modules
SiC MOSFETs
GaN HEMT
Power IC
LDO
OPA
DSP
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公司的主要产品包括GreenMOS系列超级结MOSFET、SFGMOS系列及FSMOS系列屏蔽栅MOSFET、TGBT、SuperSi²C MOSSFET、SuperSi MOSFET、SiC MOSFET, 产品可广泛应用于以新能源汽车直流充电桩、车载充电机、光伏逆变器、储能、5G基站电源、通信电源、数据中心服务器电源、工业照明电源、电动工具、智能机器人、无人机、 UPS电源为代表的工业级及汽车级应用领域，以及以PC电源、适配器、TV电源板、手机快速充电器、电磁加热为代表的消费电子应用领域。
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SJ MOSFETs
为适应电源系统高效率小型化的需求，东微半导体推出了新型的GreenMOS系列高压MOSFET, 采用独特专利器件结构和制造工艺，GreenMOS产品具有比常规MOSFET更快的开关速度及更柔和的开关曲线，在获得极低的动态损耗的同时最大限度抑制了开关震荡，不仅可以大大提高系统效率、降低发热量，还可以简化系统EMI设计。
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SGT MOSFETs
东微的SFGMOS系列MOSFET产品采用半浮栅结构，兼备了传统平面结构和SGT结构的功率MOSFET的优点，并具有更高的工艺稳定性和可靠性及更快的开关速度、更小的栅电荷和更高的应用效率等优点。SFGMOS系列MOSFET产品涵盖20V~200V全系列，可广泛应用于电机驱动、同步整流等领域中。
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IGBTs
东微的IGBT芯片采用特有的Trident-Gate Bipolar Transistor (TGBT)器件结构，以得到更低的导通压降与更小的开关损耗。目前公司已先后推出第一代及第二代TGBT多个系列产品，涵盖600V~1700V电压，适合应用于光伏储能逆变、直流充电桩、汽车主驱、OBC、UPS等领域。公司亦开发出超高速系列TGBT，工作频率达到60-100KHz，可以在满足电源系统进一步高频化的同时，实现更高的效率。
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Trench MOSFETs
沟槽Trench MOSFET：性能可靠，值得信赖，通过大量的开发，我们持续不断地利用先进的小信号MOS和功率MOS解决方案扩充我们的产品组合。我们种类齐全的产品组合提供当今市场所需的灵活性，让您可以轻松选择最适合您系统的产品。我们的领先技术确保提供最高的可靠性和性能，而先进的封装则可以增强电阻和热性能，同时缩小尺寸，降低成本。
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Power Module
先进的电源模块, 包括 IGBT、MOSFET、SiC、Si/SiC混合模块、二极管、SiC二极管和智能功率模块。IGBT模块被运用于主驱和DC-AC级太阳能逆变器、能源储存系统、不间断电源和电机驱动等应用中。MOSFET模块用于汽车电机驱动和车载充电机应用，额定电压可选40 V、60 V、80 V和650 V，采用超级结技术和感应电阻。
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GaN HEMT
氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）正日益成为主流市场的选择。针对各种高电压和低电压应用场景，GaN HEMT具备最快的转换/开关能力（最高dv/dt与di/dt）和最优异的能效表现。此外，东微半导体自研的GaN HEMT通过新颖的设计，降低导通损耗和开关损耗，进一步提升了功率密度。
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Power IC
针对高端AC-DC、DC-DC工业电源及AI算力电源核心应用场景，东微持续迭代并推出数字专用电源控制IC，全面适配高频宽禁带功率器件与高密度电源架构。相较于传统模拟电源IC，数字专用控制IC具备颠覆性优势，摒弃了模拟方案依赖阻容参数定标、调试繁琐、方案固化的痛点，实现重要参数数字化可配置，可灵活调校环路补偿、工作拓扑模式、各类保护阈值及轻载节能策略，无需更改硬件电路即可适配多规格电源产品。同时芯片动态自适应能力更强，可针对负载突变、电网波动、高低温工况自动优化控制逻辑，大幅提升电源瞬态响应与全负载段能效；有效解决模拟IC固有的温漂、器件离散性问题，整机批量一致性大幅提升，量产良率更高；且集成高精度采样、智能故障保护、自适应算法等核心功能，外围器件极简，集成度远高于传统模拟方案，有效简化客户硬件设计与调试流程。相较于通用MCU、DSP控制方案，数字专用控制IC优势同样突出，专用硬件控制架构无需软件代码开发、无程序编译调试门槛，客户入门难度低、项目落地周期大幅缩短；芯片架构精简、成本可控，相比高端DSP主控具备显著成本优势；纯硬件闭环控制无软件冗余功耗，待机功耗更低，适配电源低功耗能效规范；同时抗EMI干扰能力强，在高频、高压、强干扰的严苛电源工况下，可靠性与稳定性更高，完美匹配高端工业电源、AI数据中心电源的高可靠、高效率、低成本量产需求。
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LDO
LDO（Low Dropout Regulator 低压差线性稳压器）为适应从便携式设备到工业高压控制对电源管理的多元化需求，东微推出了全系列高性能LDO产品线。该系列包含超低功耗的CMOS架构与高可靠性的Bipolar架构，采用先进的带隙基准源与过流保护技术，具有比传统稳压器更宽的输入电压窗口及极高的性价比。CMOS系列实现了低至0.2μA的静态电流与高达90dB的电源抑制比，而Bipolar系列则支持高达1.5A的大电流输出与36V以上的耐高压特性，在确保输出电压精度的同时大幅简化了外围电路设计。 该系列产品涵盖5.5V至100V全电压输入范围，提供从100mA到1.5A的多种电流规格，封装形式灵活多样（SOT23/SOT89/SOT223/TO252等），可以满足各种复杂系统的供电需求。基于其低功耗、高耐压及低噪声的特点，特别适用于智能电表、48V轻混系统、安防监控、电机驱动、物联网节点及各类精密仪器等系统。
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OPA
OPA（Operational Amplifier 运算放大器）为应对现代电子系统对低功耗、高精度及高速信号处理的严苛挑战，东微推出了全系列高性能模拟信号链产品。该系列涵盖低压通用运放、高压通用运放、低压高速运放及低压比较器四大核心品类，采用先进的半导体制造工艺与优化的内部拓扑架构，具有比传统同类产品更宽的电源电压范围、极低的输入失调电压（Vos）以及卓越的电源抑制比（PSRR）。其中，低压通用系列实现了低至50μA的静态功耗与轨到轨（Rail-to-Rail）输入输出特性；高速系列则具备高达250MHz的增益带宽积与180V/μs的压摆率，在确保极低噪声的同时大幅提升了系统的动态响应能力。 该系列产品提供从单通道到四通道的丰富规格矩阵，支持SOT23、MSOP、DFN等多种微型封装形式，可完美替代市场主流竞品。基于其高可靠性、低失真及优异的抗干扰性能，特别适用于工业控制、汽车电子、医疗仪器、通信设备、精密数据采集及物联网传感器等多元化应用场景。
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DSP
我司 DSP 产品聚焦芯片正向设计，自主掌握 DSP 处理器内核及全部外设模块 IP 源代码，长期沉淀 IP 核、设计流程、自动化脚本、芯片架构等海量设计资源，核心 IP 可实现全流程自主开发。围绕 DSP 芯片设计关键技术，产品已经累计申请发明专利 11 项（已授权 4 项）、软件著作权 17 项、集成电路布图 3 项，并且产品以量产且服务多家国内知名企业。产品对标国际头部厂商主流 DSP 芯片，广泛应用于电源控制、电机驱动、工业网络等领域，旨在破解国内 DSP 芯片高度依赖进口的行业痛点，在满足客户性能需求前提下推进核心器件国产替代与自主可控。
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应用领域
东微半导体的产品应用领域广泛且具体。在汽车电子方面，深度布局电动化，涵盖车载充电、各类电控系统及热管理；在工业与能源领域，提供电池测试、光伏逆变及工业电源解决方案；同时，其产品也服务于消费电子（如快充、电视）、家用电器（如冰箱、吸尘器）、通信设施（如数据中心电源）以及电机驱动（如机器人、无人机、叉车）等多个关键行业。
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